表示装置用アレイ基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：蔦田璋子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-063254
公開番号（公開出願番号）：特開平11-258634
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】表示装置用アレイ基板の製造方法において、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とからなる多層絶縁膜におけるコンタクトホールの形成を、単一のエッチング処理により効率的に行うことができるものを提供する。【解決手段】コンタクトホール(163,164,165,166)(153,154,155,156)(129a)を形成するためのエッチングをフッ化水素系のエッチング薬剤により行う。特に、層間絶縁膜(127)及び第2ゲート絶縁膜(117)を構成する窒化シリコン膜について、密度が密度が2.6g/cm2以下、窒素/ケイ素の重量組成比が1.3以上となるように成膜する。

請求項（抜粋）：

基板上に配置される走査線と、この上に配置される第1及び第2絶縁膜、この上に配置される半導体膜、前記半導体膜に電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、前記ドレイン電極から導出されて前記走査線と略直交する信号線と、前記ソース電極と電気的に接続される画素電極とを備えた表示装置用アレイ基板の製造方法において、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜をそれぞれ一層以上含んでなる多層膜を貫通するコンタクトホールの形成を、フッ化水素又はその塩を含有してなる単一のエッチング液によって単一のエッチング処理工程で同時に行うことを特徴とする表示装置用アレイ基板の製造方法。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , G09F 9/30 338

FI (2件)：

G02F 1/136 500 , G09F 9/30 338

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