半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-053644
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294518
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】開口部や溝部といった凹部を電解めっき法に基づき導電材料で確実に埋め込み、高い信頼性を有する接続孔や溝配線を形成することを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、(A)基体11,12上に形成された層間絶縁層13に、基体12が底部に露出した凹部14を設ける工程と、(B)凹部14内を含む層間絶縁層13上に、無電解めっき法によって第1の導電層16を形成する工程と、(C)第1の導電層16上に、電解めっき法によって第2の導電層17を形成し、以て、凹部14を第2の導電層17で埋め込む工程から成る。

請求項（抜粋）：

(A)基体上に形成された層間絶縁層に、基体の一部が底部に露出した凹部を設ける工程と、(B)凹部内を含む層間絶縁層上に、無電解めっき法によって第1の導電層を形成する工程と、(C)第1の導電層上に、電解めっき法によって第2の導電層を形成し、以て、凹部を第2の導電層で埋め込む工程、から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/288 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/288 Z , H01L 21/88 R , H01L 21/90 A

Fターム (65件)：

4M104AA01 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104DD16 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG15 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ15 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK21 , 5F033KK33 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP09 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033WW02 , 5F033XX02

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