特許

J-GLOBAL ID：200903039812436090

微細パターンの形成方法

発明者： 岡本 誓行 ,  西岡 直 ,  河津 哲
出願人/特許権者： 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 ,  三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-120054
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326562
出願日： 1994年06月01日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 現在のリソグラフィ技術の最小解像度よりも、さらに微細なパターンを得る方法を提供することを最も主要な特徴とする。【構成】 レジストパターン130の側壁を、(a)三塩化炭素ラジカル、(b)シリコンイオンと酸素イオンとの混合物、(c)炭素イオンと一酸化炭素イオンとの混合物、(d)塩素ラジカル、(e)三塩化アルミニウム液および(f)ジブチルマグネシウム液からなる群から選ばれた改質材を用いて改質し、レジストパターン130の側壁に側壁改質部132a,132bを形成する。レジストパターンの改質されていない部分131を除去し、それによって被加工物層120の上に、側壁改質部132a,132bを残す。上記被加工物層120の、側壁改質部132a,132bの直下部分以外の部分をエッチング除去し、被加工物層120の微細パターン120A,120Bを形成する。

請求項（抜粋）：

支持材の上に被加工物層を形成する工程と、前記被加工物層の上に、互いに対向する一方の側壁と他方の側壁とを有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの前記一方の側壁と前記他方の側壁を、(a)三塩化炭素ラジカル、(b)シリコンイオンと酸素イオンとの混合物、(c)炭素イオンと一酸化炭素イオンとの混合物、(d)塩素ラジカル、(e)三塩化アルミニウム液および(f)ジブチルマグネシウム液からなる群より選ばれた改質材を用いて改質し、それによって、前記レジストパターンの前記一方の側壁に第1の側壁改質部を形成し、前記他方の側壁に第2の側壁改質部を形成する工程と、前記レジストパターンの改質されていない部分を除去し、それによって、前記被加工物層の上に、前記第1の側壁改質部と前記第2の側壁改質部とを残す工程と、前記第1の側壁改質部と前記第2の側壁改質部とをマスクに用いて、前記被加工物層の、前記第1および第2の側壁改質部の直下部分以外の部分をエッチング除去し、それによって前記被加工物の微細パターンを形成する工程と、前記第1の側壁改質部と前記第2の側壁改質部とを除去する工程と、を備えた微細パターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 570 ,  H01L 21/302 H