特許

J-GLOBAL ID：200903039813468238

集積化半導体光デバイスおよびその製造方法

発明者： 山田 光志 ,  加藤 幸雄 ,  国井 達夫
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-089511
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288592
出願日： 1995年04月14日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 第2光半導体素子部の下側光導波層部分での光の吸収の小さな集積化半導体光デバイスを提供すること。【構成】 n-InP基板12上に、第2光半導体素子部としての半導体レーザ部14、および第1光半導体素子部としての変調器部16が電極分離部18を介して集積化されている。そして、半導体レーザ部14、変調器部16および電極分離部18には、各部に共通のInGaAsP下側光導波層20が設けられている。そして、変調器部16の下側光導波層20bの厚さは、半導体レーザ部14の下側光導波層20aの厚さより大きい。すなわち、下側光導波層20は半導体レーザ部14から変調器部16にかけて、電極分離部18を介して徐々に厚くなっている。また、変調器部16の下側導波層20bのPLピーク波長が、半導体レーザ部14の下側光導波層20aのPLピーク波長より長い。

請求項（抜粋）：

共通の基板の上側に、下側光導波層を設け、該下側光導波層の一部分の上側に、上側光導波層を設けてあり、前記上側光導波層が設けられていない前記下側光導波層の部分を含む第1光半導体素子部と、前記上側光導波層および前記下側光導波層が設けられている部分を含む第2光半導体素子部とを有する集積化半導体光デバイスにおいて、前記第1光半導体素子部の下側光導波層部分の層厚は、前記第2光半導体素子部の下側光導波層部分の層厚よりも大きく、かつ前記第1光半導体素子部の下側光導波層部分のホトルミネッセンスピーク波長は、前記第2光半導体素子部の下側光導波層部分のホトルミネッセンスピーク波長より大きく、かつ前記上側光導波層のホトルミネッセンスピーク波長は、前記下側光導波層のホトルミネッセンスピーク波長はより大きいことを特徴とする集積化半導体光デバイス。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  H01L 27/15

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  H01L 27/15 C