特許

J-GLOBAL ID：200903039815256467

電子放出素子の製造方法及び前記素子を備える電子源の製造方法とその活性化装置

発明者： 茂木 聡史
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-049105
公開番号（公開出願番号）：特開2000-251662
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 良好な電子放出特性を有する電子放出素子或は電子源を再現性よく製造し、素子特性の均一性を高める。【解決手段】 絶縁基板上に一対の対向する素子電極102,103と、素子電極102,103間に形成された導電性薄膜104と、この導電性薄膜104に通電処理により電子放出部105を形成し、更に機化合物を有する雰囲気下で素子電極102,103間に電圧を印加する。この活性化工程では、電子放出素子の素子電極の一方103とコンデンサ13の一方の電極とを接続し、電子放出素子の他方の素子電極102とコンデンサ13の他方の電極間にパルス電圧を印加する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に一対の対向する素子電極を形成する工程と、前記素子電極間に導電性薄膜を形成する工程と、前記導電性薄膜に通電処理により電子放出部を形成する工程と、有機化合物を有する雰囲気下で前記素子電極間に電圧を印加する活性化工程とを有し、前記活性化工程では、電子放出素子の素子電極の一方とコンデンサの一方の電極とを接続し、前記電子放出素子の他方の素子電極と前記コンデンサの他方の電極間にパルス電圧を印加することを特徴とする電子放出素子の製造方法。