半導体デバイスの層内または層間誘電体としての超低誘電率材料

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-515873
公開番号（公開出願番号）：特表2005-530363
出願日： 2003年06月18日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】約2.6以下の誘電率を有する超低誘電率材料およびその作製する方法を提供すること。【解決手段】Si原子、C原子、O原子およびH原子を含み、共有結合3次元ネットワーク構造を有し、2.6以下の誘電率を有する、熱的に安定な超低誘電率膜を提供する。この誘電率膜は、さらに、共有結合環状ネットワークを有することもできる。共有結合3次元ネットワーク構造は、Si-O共有結合、Si-C共有結合、Si-H共有結合、C-H共有結合およびC-C共有結合を含み、必要ならFおよびNを含むこともできる。この膜では、必要ならSi原子の一部をGe原子で置換することもできる。この誘電率膜は、1.3マイクロメートル以下の厚さを有し、毎秒10-10メートル以下の水中での亀裂成長速度を有する。さらに、BEOL絶縁体、キャップまたはハード・マスク層として本発明の誘電膜を含むバック・エンド・オブ・ライン(BEOL)相互接続構造も提供する。

請求項（抜粋）：

Si元素、C元素、O元素およびH元素を含む誘電材料であって、共有結合3次元ネットワーク構造および2.6以下の誘電率を有する誘電材料。

IPC (2件)：

H01L21/312 , H01L21/316

FI (2件)：

H01L21/312 C , H01L21/316 X

Fターム (37件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030BA35 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030FA03 , 4K030HA03 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AD10 , 5F058AD11 , 5F058AD12 , 5F058AE02 , 5F058AE05 , 5F058AF02 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BE04 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国出願番号第09/107567号
米国出願番号第09/320495号

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