特許
J-GLOBAL ID：200903039818891740
光機能素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253108
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063303
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 基板上に、簡単なプロセスで十分な光閉じ込め機能の光導波路構造を持つ光機能素子を製造する。集積度向上の阻害要因も除去し、レイアウトの自由度も得る。【構成】 n-GaAs基板2の上に所定の幅の一対の絶縁膜3,3を形成する。当該一対の絶縁膜の間のストライプ状窓4により露呈した基板主面上に、MOCVDにより、AlGaAs下側クラッド層6、GaAs導波路層7、AlGaAs上側クラッド層8を順次成長させ、光導波路構造を製造する。基板2の主面が (1,0,0)面であれば、光導波路構造の側面は(1,1,1)B面による斜面となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、下側クラッド層、導波路層、上側クラッド層を形成した光導波路構造部分を有する光機能素子の製造方法であって;上記半導体基板上の上記光機能素子を形成すべき面積領域を露呈するストライプ状の窓を形成するため、該窓の少なくとも両側にあって上記基板主面を覆う絶縁膜を形成した後;該絶縁膜をマスクとして気相選択成長により、上記窓を介して開口した上記基板主面の上に上記光導波路構造を形成すること;を特徴とする光機能素子の製造方法。
引用特許：
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