特許
J-GLOBAL ID:200903039819353777

基板処理方法およびそれに使用する装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉谷 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-019799
公開番号(公開出願番号):特開平8-191046
出願日: 1995年01月11日
公開日(公表日): 1996年07月23日
要約:
【要約】【目的】 露光条件や現像条件を変更すること無く、均一な線幅が得られるようにする。【構成】 レジスト液を塗布した後の基板Wをプリベークし、そのプリベークした後の基板Wに塗布されているレジストの膜厚を測定し、その測定膜厚に基づき、設定膜厚を得るのに必要な追加加熱時間を算出し、露光処理に先立って、算出した追加加熱時間だけ基板Wを追加ベークし、露光処理の前段階において、所定の膜厚を得る。
請求項(抜粋):
レジスト液を塗布した後の基板をプリベークし、そのプリベーク後の前記基板を露光処理する基板処理方法において、プリベーク後の前記基板に塗布されているレジストの膜厚を測定し、その測定膜厚に基づいて加熱時間を算出し、露光処理に先立って、算出した加熱時間だけ前記基板を追加ベークすることを特徴とする基板処理方法。
IPC (6件):
H01L 21/027 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/16 501 ,  G03F 7/38 501
FI (2件):
H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 567

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