特許

J-GLOBAL ID：200903039824753163

接合基板の切断方法

発明者： 左右木 安男 ,  富田 正弘
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-326466
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183255
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板の使用領域を増大させながら、加工効率も確保することのできる接合基板の切断方法を提供する。【構成】 公知の半導体素子形成工程により、シリコンウエハ1表面に回路素子等を形成する。その後、シリコンウエハ1とパイレックスガラス2とを陽極接合により接合する。そして、まず、シリコンウエハ1をダイシングし、次に、シリコンウエハ1側をダイシングテープ3に貼りつけてパイレックスガラス2をダイシングし、センサチップとする。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板と同一あるいはそれに近い熱膨張率を有する他の基板とが張り合わされた接合基板の切断方法において、前記半導体基板あるいは他の基板とを貼り合わせ面とは異なるそれぞれの表面から切断したことを特徴とする接合基板の切断方法。

FI (2件)：

H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-267342
  
• 特開昭61-267342