特許
J-GLOBAL ID：200903039824815460
半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-090042
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277208
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】プロセスを複雑化させることなく、シリコン半導体の光閉じ込め効果を向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】この半導体素子の製造方法は、フッ化水素を含有する電解液に、銀を溶解させる工程と、銀が溶解された電解液に、n型単結晶シリコン基板1を接触させることにより、通電を行うことなく、n型単結晶シリコン基板1の表面に凹凸形状1aを形成する工程とを備えている。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
フッ化物を含有する電解液に、銀、銅、白金、銀化合物、銅化合物および白金化合物からなるグループより選択される少なくとも1つの金属材料を溶解させる工程と、
前記金属材料が溶解された電解液に、シリコン半導体を接触させることにより、通電を行うことなく、前記シリコン半導体の表面に凹凸形状を形成する工程とを備えた、半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/308 B
, H01L31/04 A
5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043FF10
, 5F043GG10
, 5F051AA02
, 5F051AA05
, 5F051CB21
, 5F051CB29
, 5F051CB30
, 5F051DA04
, 5F051DA20
, 5F051GA04
, 5F051GA15
