特許
J-GLOBAL ID：200903039826479220
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020907
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218233
出願日： 1992年02月06日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 外部取り付け基板に簡単に取り付けることができる半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 リードフレーム1の裏面に絶縁層10を形成し、絶縁層10の裏面にヒートシンク200を形成する。その後、ヒートシンク200の裏面が露出するようにトランスファーモールドする。絶縁層10によりリードフレーム1とヒートシンク200は絶縁されている。そのため、該半導体装置を導電性の外部取り付け基板に取り付けた場合、半導体装置と外部取り付け基板とを絶縁する必要がなくなる。【効果】 その結果、半導体装置の外部取り付け基板への取り付けが容易になる。
請求項（抜粋）：
放熱板と、前記放熱板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に設置されたリードと、前記リード上に設置され、該リードと電気的に接続された半導体素子と、前記放熱板の裏面が露出しかつ前記リードの一端が突出するように前記放熱板,前記絶縁層,前記リード,前記半導体素子を覆う外装樹脂とを備える半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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