特許
J-GLOBAL ID:200903039838754995
磁気光学薄膜
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (2件):
渡邉 一平 (外1名)
, 渡邉 一平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-138561
公開番号(公開出願番号):特開平6-347738
出願日: 1993年06月10日
公開日(公表日): 1994年12月22日
要約:
【要約】【構成】 組成式(RE1-aBia)3(FexGayAlz)5O12及び不可避不純物からなる組成を有し、REは、Y、Tm、Yb及びLuからなる群より選ばれた少なくとも一元素であり、xは、0.50以上、0.75以下の範囲であり、x+y+z=1である磁気光学薄膜。【効果】 鉄を置換するガリウム及びアルミニウムの割合を制御することで、磁区の磁化方向が反転する飽和磁場が80Kで100Oe以下の磁気光学薄膜が得られた。
請求項(抜粋):
組成式(RE1-aBia)3(FexGayAlz)5O12及び不可避不純物からなる組成を有し、REは、Y、Tm、Yb及びLuからなる群より選ばれた少なくとも一元素であり、xは、0.50以上、0.75以下の範囲であり、x+y+z=1であることを特徴とする磁気光学薄膜。
引用特許:
審査官引用 (2件)
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特開昭57-205398
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特開昭57-200295
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