垂直構造量子ウェル成分の電気的に制御可能なマトリクスを製造する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-156067
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051245
出願日： 1995年06月22日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】化合物III /Vにもとづく量子ウェルヘテロ構造から成る活性層により覆われた1個または交互に数個の半導体薄膜層からなる下ブラッグミラーをエピタキシャル成長した基板から垂直構造の量子ウェル成分の電機的に制御可能なマトリクスを製造する方法を提供する。【構成】 a)活性量子ウェル層がそこに合金相互拡散を生じさせることの出来る誘電体層で包まれる。b)この誘電体層(3)は自己整合マスク(4)をつくるようにエッチングされる。c)この自己整合マスクにより覆われた基板はその活性層内の合金相互拡散により変更された領域(7)をつくるように熱処理される。d)下部ミラーとは逆にドーピングされた半導体材料内の上記ミラーが非相互拡散活性ゾーンの領域に関し、上記マスクの窪み内にエピタキシ成長により堆積される。e)上記誘電体層と接触する上記上記ミラーのエッジがメタライズされる。

請求項（抜粋）：

量子ウェルヘテロ構造からなる活性エピタキシャル層(3)で覆われた1個または交互となった数個の半導体薄膜層で構成されるドーピングn(またはp)された下部ミラー(2)をエピタキシにより堆積され、ドーピングされたn(またはp)基板(1)から垂直構造の量子ウエル成分の電気的に制御可能なマトリクスを製造する方法であって、a)上記活性量子ウェル層は合金相互拡散を生じさせうる誘電体層(4)で覆われること、b)上記誘電体層(4)は上記活性層の覆われていない領域に対し窪み(6)を区分する自己整合マスク(5)をつくるようにエッチングされること、c)上記自己整合マスクで覆われた上記基板はもとの状態(ピクセル間領域)に対し偏光された組成を有する垂直方向に分割された領域(7)を合金相互拡散により上記活性領域内につくると共にマトリクス形の非変更領域(ピクセル)をつくるように熱処理されること、d)上記下部ミラーとは逆のドーピングされたp(またはn)型半導体内の上部ミラー(8)が上記マスクの上記、窪み内にエピタキシ成長により堆積されること、e)上記誘電体層と接触する上記ミラーのエッジは上記ピクセルの光学的入力および出力用の開口を各ピクセルの上にミラーの中心に残すようにメタライズされること、を特徴とする方法。

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