特許

J-GLOBAL ID：200903039840179868

SOI集積回路のESD保護用の双安定擬似SCRスイッチ

発明者： アミタバ チャッタージー ,  イー.アメラセケラ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031918
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294430
出願日： 1998年01月05日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】 SOI集積回路の信号線をESDイベントによるダメージに対して保護する双安定擬似SCRスイッチを得る。【解決手段】 第1および第2のトランジスタ42,44がSOI回路40の絶縁体層46上に形成される。配線62,64が2個のトランジスタ42,44間を延在してP領域52,54およびN領域50,58を互いに接続する。トランジスタ42,44はバイポーラもしくはエンハンスメント型MOSFETトランジスタとすることができる。バイポーラトランジスタの場合、NPNトランジスタ42のベースおよびコレクタはPNPトランジスタ44のコレクタおよびベースにそれぞれ接続される。MOSFETも同様に接続され、PおよびNウエルは、PおよびNチャネルトランジスタ44,42のドレインに接続されるNおよびPチャネルトランジスタ42,44のチャネル領域を形成する。

請求項（抜粋）：

SOI集積回路内に作られかつESDの影響を受け易い端子に接続された活性回路を保護するESD保護装置であって、第1の導電型の第1の領域と、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型の第2の領域と、前記第1および第2の領域を電気的に分離する分離構造と、前記第1の導電型のベースを有する、前記第1の領域内に形成された第1のバイポーラトランジスタと、前記第2の導電型のベースを有する、前記第2の領域内に形成された第2のバイポーラトランジスタと、前記第1の領域内に形成された、前記第1のバイポーラトランジスタのベースを前記第1の領域の外部に接続することができる第1の導電型の第1のコンタクト領域と、前記第2の領域内に形成された、前記第2のバイポーラトランジスタのベースを前記第2の領域の外部に接続することができる第2の導電型の第2のコンタクト領域と、前記第1および第2のバイポーラトランジスタを擬似SCR構造内の外部抵抗体と相互接続する前記第1および第2の領域の外部の配線構造と、を含む、ESD保護装置。

IPC (7件)：

H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8228 ,  H01L 27/082 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 27/06 311 A ,  H01L 27/12 K ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 101 C ,  H01L 29/78 623 A