特許

J-GLOBAL ID：200903039843024547

半導体装置及びその製造方法

発明者： 永野 剛之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 松山 允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-051738
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252354
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 素子サイズを増加させることなく、ボディ領域の電位を一定に維持することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ソース領域14Sの下に絶縁層4を介してボディ領域の引き出し層を設ける。コンタクト17は、ソース領域と引き出し層とに共通にしても良く、別々に形成しても良い。上記構成によれば、第1の半導体層3をボディコンタクト領域として確実且つ容易にボディ領域に所定の電位を与えることができる。

請求項（抜粋）：

第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上に形成された電界効果トランジスタと、を備えた半導体装置であって、前記電界効果トランジスタのソース部及びドレイン部の少なくとも一方は、前記第1の絶縁層の上に設けられチャネル領域まで延在する第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の一部の上に設けられた第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に設けられた第2導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層と前記第2の絶縁層とを貫通し前記第1の半導体層に接続されたコンタクトと、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 626 B ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 616 J

Fターム (46件)：

5F048AA01 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048BA16 ,  5F048BC06 ,  5F048BC11 ,  5F048BE09 ,  5F048BG07 ,  5F110AA04 ,  5F110AA15 ,  5F110AA16 ,  5F110BB03 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110GG34 ,  5F110GG39 ,  5F110GG42 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HL03 ,  5F110HL14 ,  5F110HL22 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11