半導体基板のエッジ成膜の制御

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-274511
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236451
出願日： 1995年10月23日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【課題】半導体基板のエッジ又はその周囲に材料の成膜を制御するための方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明は基板を内部で受容する処理チャンバを画するハウジングを備えた基板処理装置を提供する。チャンバ内部では、両サイドに基板受容部を有する基板支持体が、チャンバ内部に配置される。この受容部は、基板を受容するように寸法が与えられた、壁状のポケットを画する。基板がこのように受容された場合は、ポケットの壁は基板の外側エッジと共に環状を画する。典型的には、ポケット壁は基板の基準面に対して垂直であり、基板の厚さと少なくとも同等、好ましくは2倍の厚さを有している。ポケットの外側の下側の円形エッジでは、ガス注入マニホールドが形成される。処理中にガスがマニホールドを介して注入され、ポケット内に受容される基板のエッジの方に射出するように、マニホールドが配置される。このガスは、ポケットの壁と基板の外側エッジとの間で画される環状部を介して上方へと移動する。従って、処理ガスが基板の末端のエッジ部分と接触することが防止される。

請求項（抜粋）：

外周エッジと処理のための第1の面と第2の面とを有する略平坦な基板を処理するための装置であって、(i)基板処理チャンバを画するハウジングと、(ii)該チャンバ内に配置されて処理のためその上に基板を受容する基板支持体と、(iii)該基板支持体によって画され、基板及び壁面を支持する床面を有し、処理のための該第1の面全体を露出させるようにサイズが与えられる基板受容ポケットと(iv)基板が該ポケットに受容された際に基板の外周エッジに沿ってガスを配向させるように位置されるガス流入口とを備える装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44

FI (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 D

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開平4-119630
基板支持装置、基板支持・運搬装置、及び基板裏側への被着防止方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-201315 出願人：ノベラス・システムズ・インコーポレイテッド, ナショナル・セミコンダクター・コーポレイション
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-145621 出願人：住友金属工業株式会社

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