特許

J-GLOBAL ID：200903039848021970

プラズマ処理装置

発明者： 武石 浩司
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-368119
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168678
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】 マイクロ波励起と高周波バイアス励起とを併用可能な構成を有し、高周波バイアス励起のみを実施しても異常放電が生じることのないプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 真空チャンバ(2)と、絶縁性の透過窓(24)を介して前記真空チャンバ内に高周波電力(M)を導入することによりプラズマを生成する第1のプラズマ励起源と、前記真空チャンバ内に設けられ、プラズマ処理される被処理物を保持する載置台(30)と、前記載置台に高周波バイアスを印加することによりプラズマを生成する第2のプラズマ励起源(80)と、を備え、前記真空チャンバの内壁面上の少なくとも一部に前記真空チャンバと同電位とされた導電性部材(20A〜20E)が設けられたプラズマ処理装置を提供する。

請求項（抜粋）：

大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空チャンバと、絶縁性の透過窓を介して前記真空チャンバ内に高周波電力を導入することによりプラズマを生成する第1のプラズマ励起源と、前記真空チャンバ内に設けられ、プラズマ処理される被処理物を保持する載置台と、前記載置台に高周波バイアスを印加することによりプラズマを生成する第2のプラズマ励起源と、を備え、前記真空チャンバの内壁面上の少なくとも一部に前記真空チャンバと同電位とされた導電性部材が設けられたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/517

FI (2件)：

C23C 16/517 ,  H01L 21/302 B

Fターム (8件)：

4K030FA01 ,  4K030KA30 ,  5F004AA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BD03