特許

J-GLOBAL ID：200903039853956081

加熱処理方法及び加熱処理装置

発明者： 立山 清久
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 大森 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-294737
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091224
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 従来の加熱処理装置では、レジスト層の内部の乾燥が不充分なまま表面から乾きが発生するため、ガラス基板の支持ピンとの接触部分に転写が発生する、という課題がある。【解決手段】 加熱処理空間35内をシンナガス雰囲気で飽和し(ステップ401)、次に飽和した加熱処理空間35内へシンナガスを送り込みつつ、加熱処理空間35を排気し(ステップ402)、次に加熱処理空間35内へのシンナガスの送り込みを停止しつつ、加熱処理空間35を排気している(ステップ403)。

請求項（抜粋）：

塗布液が塗布された被処理体を溶剤雰囲気中で加熱して乾燥することを特徴とする加熱処理方法。

IPC (7件)：

H01L 21/027 ,  B05D 1/32 ,  B05D 3/04 ,  C03C 17/00 ,  F26B 3/04 ,  G02F 1/1333 500 ,  G09F 9/30 312

FI (7件)：

H01L 21/30 567 ,  B05D 1/32 Z ,  B05D 3/04 Z ,  C03C 17/00 ,  F26B 3/04 ,  G02F 1/1333 500 ,  G09F 9/30 312 Z