化合物半導体結晶成長法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170804
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021346
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】ヘテロ接合電界効果トランジスタに用いられる低温バッファ層を備えた積層結晶構造において、低温バッファ層の特徴であるホールトラップによるキンク現象を低減させ、バッファ層の結晶性を向上させて2DEG層のシートキャリア濃度を増加させ、移動度を向上させる。【構成】分子線エピタキシー法において、低温で成長させた低温バッファ層2の上に緩やかに温度を上昇させながら半低温バッファ層3を成長させる。2DEG層4が生成する領域のバッファ層3の結晶性を向上させる。2DEG層4のシートキャリア濃度が増加し、移動度が向上した。低温バッファ層2までは低温で成長されるので、ホールトラップ密度が増加し、デバイスのキンク現象が低減した。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面上に、分子線エピタキシー法により通常の成長温度よりも低温で第1のバッファ層を成長させる工程と、継続して緩やかに通常の成長温度まで温度上昇させながら第2のバッファ層を成長させる工程とを含む化合物半導体結晶成長法。

IPC (5件)：

H01L 21/203 , C30B 23/08 , C30B 29/42 , H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-133393
特開昭62-176987
特開昭60-102729

前のページに戻る