特許

J-GLOBAL ID：200903039859115003

炭素系光電素子およびその製造方法

発明者： 東 博純 ,  山口 真史 ,  カナン ラクシミ ナラヤナン
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-006031
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209270
出願日： 2002年01月15日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高い量子効率を有し、製造工程が簡略であり廉価な光電素子とその製造方法を提供する。【解決手段】バック電極15と、n型半導体層14と、フラーレンまたはカーボンナノチューブからなるナノカーボン分子層13と、p型半導体層12と、表面電極11とからなる炭素系光電素子であって、前記p型半導体層12は、アモルファスであることを特徴とする。ここで、p型半導体層12であるアモルファス層は、カーボンナノ分子層の最表面にレーザ光を照射して構造変化させた層であることが望ましい。また、フラーレンはC60であることが好ましく、n型半導体層14は、シリコン基板であることができる。

請求項（抜粋）：

バック電極と、n型半導体層と、フラーレンまたはカーボンナノチューブからなるナノカーボン分子層と、p型半導体層と、表面電極とを順次積層してなる光電素子であって、前記p型半導体層は、アモルファスカーボン層であることを特徴とする炭素系光電素子。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 31/04 V ,  H01L 31/10 A

Fターム (14件)：

5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MB02 ,  5F049MB03 ,  5F049MB05 ,  5F049PA03 ,  5F049PA12 ,  5F051AA02 ,  5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA32 ,  5F051CB02 ,  5F051DA03 ,  5F051DA04