特許

J-GLOBAL ID：200903039861902594

ドライエッチング方法

発明者： 東 良重 ,  久▲禮▼ 得男 ,  村井 二三夫 ,  長谷川 昇雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-076598
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283375
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】三層レジストの中間層無機膜パターンをマスクとしてドライエッチングにより下層有機膜にパターンを形成する際に、有機膜の寸法シフトを抑え、中間層無機膜,被加工膜の削れを防止する。【構成】有機膜をエッチングする際に、ジクロルメタンと酸素の混合ガスを用いる。【効果】中間層無機膜,下層有機膜エッチング時の寸法細りを低減し、被加工膜の削れを防止できる。

請求項（抜粋）：

有機膜をドライエッチングによりパターニングする方法において、エッチングするガスが少なくとも炭素と塩素、または炭素と臭素、または炭素と塩素および臭素の元素を含むことを特徴とするドライエッチング方法。