特許

J-GLOBAL ID：200903039863664887

3-5族化合物半導体結晶

発明者： 家近 泰 ,  小野 善伸 ,  高田 朋幸
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030067
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240374
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】安価なサファイアの略R面基板上に成長させた高品質な3-5族化合物半導体結晶を提供する。【構成】3族元素として少なくともGa、5族元素として少なくともNを含有する3-5族化合物半導体結晶において、サファイアの略R面基板上に成長させた酸化亜鉛結晶上に成長させてなることを特徴とする3-5族化合物半導体結晶。

請求項（抜粋）：

3族元素として少なくともGa、5族元素として少なくともNを含有する3-5族化合物半導体結晶において、サファイアの略R面基板上に成長させた酸化亜鉛結晶上に成長させてなることを特徴とする3-5族化合物半導体結晶。