特許

J-GLOBAL ID：200903039864969673

パターン形成方法

発明者： 山口 秀範 ,  山中 良子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-041580
公開番号（公開出願番号）：特開平8-234451
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】レジストパターン寸法を簡単な処理でさらに微小化する。【構成】被加工基板1上に、通常のリソグラフィによってレジストパターン3を形成し、次いでパターン3に体積膨張をもたらす物質を含む雰囲気4で処理を行う。

請求項（抜粋）：

被加工基板上にエネルギ線の照射により感光するレジスト層を形成し、所望の領域にエネルギ線を照射する工程、および前記レジスト層を少なくとも現像する工程によって所望のパターンを形成するパターン形成方法において、前記所望のパターンを形成後、体積膨張をもたらす処理液で処理することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 570