特許

J-GLOBAL ID：200903039865596595

熱電装置および熱電装置の製造方法

発明者： 西脇 文俊 ,  田中 博由
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-170349
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013664
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 熱電半導体薄膜部以外の高温端面と低温端面の間を真空断熱部とすることにより熱電変換の高効率化が達成できる超薄型・軽量な熱電装置、およびその熱電装置を歩留まり良く、低コストで大量に生産できる製造方法を提供する。【構成】 基板8の上面にパターニングした電極膜部10を設け、この上面に一対のP型とN型の熱電半導体薄膜部11、12を設け、熱電半導体薄膜部11、12を形成していない基板上には多結晶シリコン膜部44を設け、さらにP型およびN型の熱電半導体薄膜部11、12の上面に接する電極膜部13を設けることによりP型熱電半導体薄膜部11およびN型熱電半導体薄膜部12を交互に電気的に直列にかつ熱的に並列に配列した後、多結晶シリコン膜部44をエッチングして空洞を形成し、真空中でエッチ孔を封止して真空断熱部14を形成する。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上にパターニングして形成した第1の電極膜部と、前記第1の電極膜部上に設けた一対のP型とN型の熱電半導体薄膜部もしくはP型・N型いずれか一方の熱電半導体薄膜部と、前記熱電半導体薄膜部の上面に接し前記P型熱電半導体薄膜部およびN型熱電半導体薄膜部を交互に電気的に直列にかつ熱的に並列に接合する第2の電極膜部と、前記熱電半導体薄膜部を形成していない基板上に設けた真空断熱部を備え、前記真空断熱部を支持する支柱で真空封止したことを特徴とする熱電装置。