特許

J-GLOBAL ID：200903039887545862

磁気薄膜用ターゲット材およびその製造方法

発明者： 谷口 繁 ,  村田 英夫
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-274446
公開番号（公開出願番号）：特開平8-109470
出願日： 1994年10月13日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】 スパッタリングによって得られる膜の組成のばらつきを低減できるFe-Ta系の磁気薄膜用ターゲット材およびその製造方法を提供する。【構成】 Taを5〜15原子%、好ましくはさらにCrを10原子%以下含有し、残部Feを主体とする組成を有するターゲット材であって、Feを主体とするマトリックスに、最大粒径が50μm以下のFeとTaを主体とする塊状化合物と、最大長50μm以下のFeとTaを主体とする長粒状化合物とが分散した組織を有することを特徴とするターゲット材である。ターゲット材は上記組成の合金溶湯を前記合金の液相温度を超え融点+50°Cの鋳造温度にて鋳造を行なうことにより得られる。

請求項（抜粋）：

Taを5〜15原子%含有し、残部Feを主体とする組成を有するターゲット材であって、Feを主体とするマトリックスに、最大粒径が50μm以下のFeとTaを主体とする塊状化合物と、最大長50μm以下のFeとTaを主体とする長粒状化合物とが分散した組織を有することを特徴とする磁気薄膜用ターゲット材。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  C22C 38/00 303 ,  C22C 38/12 ,  C22C 38/26 ,  G11B 5/31