多酸素含有化合物、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、及び半導体素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-365147
公開番号（公開出願番号）：特開2000-191656
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月11日
要約：

【要約】【課題】極短波長領域で光吸収度が低いながらも、露光部で発生した酸の拡散を効果的に抑制できる物質を提供する。【解決手段】フォトリソグラフィー工程中、露光工程により露光部で発生した酸が非露光部に拡散するのを防ぐための酸拡散防止用物質、及びこれを利用した超微細パターン形成方法に対したものであり、クラウンエーテル又はポリエチレングリコール誘導体のような酸素を多く含む化合物を、酸拡散防止用物質に用いる。

請求項（抜粋）：

クラウンエーテル及びポリエチレングリコール誘導体の中で選択され、フォトリソグラフィー工程の酸拡散防止物質に用いられることを特徴とする多酸素含有化合物。

IPC (5件)：

C07D323/00 , C07D493/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601

FI (5件)：

C07D323/00 , C07D493/08 C , G03F 7/004 501 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601

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