薄膜トランジスタ及びゲート絶縁膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：宮▲崎▼主税 , 目次誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-378692
公開番号（公開出願番号）：特開2007-043055
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜のコストを低減、製造工程の簡略化を図り、移動度及びオンオフ電流比の高い性能に優れた薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基板上に、ゲート電極及びゲート絶縁膜が形成されている薄膜トランジスタであって、上記ゲート絶縁膜が、下記の一般式(1)で表わされる構造を有し、R11〜R1nの内少なくとも1つがHである少なくとも1種のシリコン含有ポリマー(A1)と、活性光線もしくは放射線の照射により、酸または塩基を発生する化合物とを含むシリコン含有感光性組成物を用いて形成される。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体層と、半導体層に接するように設けられたソース電極及びドレイン電極と、ゲート電極と、ゲート電極と半導体層との間に配置されたゲート絶縁膜とを備える電界効果型の薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜がシリコン含有感光性組成物を用いて形成されてなる薄膜により構成されており、前記シリコン含有感光性組成物が、下記の一般式(1)で表わされる構造を有し、R11〜R1nの内少なくとも1つがHである少なくとも1種のシリコン含有ポリマー(A1)と、活性光線もしくは放射線の照射により、酸または塩基を発生する化合物(B)とを含むことを特徴とする、薄膜トランジスタ。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 21/312 , G03F 7/075 , G03F 7/004 , H01L 21/336 , H01L 21/316

FI (12件)：

H01L29/78 617T , H01L29/78 619A , H01L29/28 100A , H01L29/28 250H , H01L29/28 280 , H01L21/312 C , H01L21/312 D , G03F7/075 511 , G03F7/004 503A , G03F7/004 503Z , H01L29/78 617V , H01L21/316 G

Fターム (53件)：

2H025AA00 , 2H025AA10 , 2H025AA20 , 2H025AB14 , 2H025AB17 , 2H025AB20 , 2H025AC01 , 2H025AD01 , 2H025BD54 , 2H025BE00 , 2H025CB33 , 2H025FA17 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AC07 , 5F058AD05 , 5F058AD08 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F058AH03 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA16 , 5F110AA21 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110EE08 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HL02 , 5F110HL07 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN36 , 5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (1件)

電界効果型有機トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-141924 出願人：キヤノン株式会社

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