特許

J-GLOBAL ID：200903039895297304

不揮発性磁気抵抗メモリのための浮遊磁気遮へい

発明者： クラレンス・ジェイ・トレイシー ,  ユージン・チェン ,  マーク・ダーラム ,  セオドア・ズ ,  サイード・エヌ・テラニ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-058843
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238377
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】 メモリの実質的なコストの付加なしに、浮遊磁場から遮へいする不揮発性磁気抵抗メモリを提供する。【解決手段】 半導体基板上に位置づけられる不揮発性磁気抵抗メモリ(10)が、不揮発性磁気抵抗メモリ(10)を部分的に、または完全に囲むパッシベーション層(18)によって浮遊磁場から遮へいせられる。そのパッシベーション層(18)は、非導電性フェライト材料(例えば、Mn-Zn-Ferrite,Ni-Zn-Ferrte,MnFeO,CuFeO,FeOまたはNiFeO)を含み、それによって、不揮発性磁気抵抗メモリ(10)を浮遊磁場から遮へいする。非導電性フェライト材料はまた、電力要求を減少させるために、不揮発性磁気抵抗メモリ(10)上に内部で発生する磁場を集束させる層(18)の形態でもよい。

請求項（抜粋）：

不揮発性磁気抵抗メモリのための浮遊磁気遮へい構造であって:基板上に位置づけられ、上側表面を決定する不揮発性磁気抵抗メモリ(10、50);および前記不揮発性磁気抵抗メモリ(10、50)を少なくとも部分的に囲むパッシベーション層(18、60)であって、当該パッシベーション層(18、60)は、フェライト材料を含み、それによって、前記不揮発性磁気抵抗メモリ(10、50)を浮遊磁気から遮へいする、ところのパッシベーション層;から構成されることを特徴とする浮遊磁気遮へい構造。

IPC (2件)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z