特許

J-GLOBAL ID：200903039902288189

層間絶縁膜の形成方法

発明者： 松浦 正純
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-201052
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051035
出願日： 1995年08月07日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、大面積である基板上に均一に層間絶縁膜を形成する方法を提供することを最も主な特徴とする。【解決手段】 その上に配線パターン2が設けられた半導体基板1を準備する。シリコン原子を有するガスと過酸化水素とを含む混合ガスを用いて、化学気相成長法により、配線パターン2を覆うように、半導体基板1の上にシリコン酸化膜4を形成する。シリコン原子を有するガスと過酸化水素とのモル比を1:2から1:4の範囲に調整して行なう。

請求項（抜粋）：

その上に配線パターンが設けられた半導体基板を準備する工程と、シリコン原子を有するガスと過酸化水素とを含む混合ガスを用いて、化学気相成長法により、前記配線パターンを覆うように前記半導体基板の上にシリコン酸化膜を形成する工程と、を備え、前記シリコン原子を有するガスと前記過酸化水素とのモル比を1:2から1:4の範囲に調整して行なう、層間絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/95