特許

J-GLOBAL ID：200903039903112548

面発光型半導体レーザ装置

発明者： 古沢 浩太郎 ,  茨木 晃 ,  石川 徹 ,  三宅 輝明
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180393
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003369
出願日： 1991年06月25日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、面発光型半導体レーザの偏波方向を素子によらず、一定にすることを目的とする。【構成】 この発明は、GaAs半導体基板1の〔100〕結晶面上に、埋め込み活性層4が形成された面発光型半導体レーザ装置において、結晶方位の〔010〕方向または〔001〕方向の偏光成分を遮る損失付加層Aを設ける。

請求項（抜粋）：

GaAs半導体基板の〔100〕結晶面上に、埋め込み活性層が形成された面発光型半導体レーザ装置において、結晶方位の〔010〕方向または〔001〕方向の偏光成分を遮る損失付加層を設けることを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。