特許

J-GLOBAL ID：200903039903130473

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 渡辺 裕之 ,  水原 秀樹 ,  斉藤 公英
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327974
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242278
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 信頼性に優れ且つ微細化に適した半導体装置を提供すること。【解決手段】 Si基板1上ゲート絶縁膜2、ゲート電極3及びソース・ドレイン領域4を形成してMOSトランジスタを完成する。ソース・ドレイン領域に通じるソース・ドレイン電極7を形成した後、その上に有機SOG膜8を形成し、このSOG膜8にホウ素イオンを下地ソース・ドレイン電極7のTiN膜/Ti膜に到達するような条件で注入する。こうすることにより、SOG膜8が改質SOG膜9となって、水分や水酸基が減少し且つ膜が吸水しにくくなる上に、改質SOG膜9とソース・ドレイン電極7との密着強度が高くなり、改質SOG膜9が剥がれにくくなる。また更には、ソース・ドレイン電極7の配線抵抗が低下する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された配線の上に接触するように、第1の絶縁膜を形成する工程と、少なくとも前記配線に達する条件下で前記第1の絶縁膜に不純物を導入する工程と、を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/90 P ,  H01L 21/28 B ,  H01L 21/316 H ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-060242
  
• 特開平1-199456
  
• 特開平3-101130