特許

J-GLOBAL ID：200903039903373643

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 松浦 正純 ,  森 剛
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-312166
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146710
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】アナログ素子として使用されるMIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタにおいて、電圧係数の値を小さく、またデバイスの駆動電圧範囲における当該電圧係数差を小さくする。【解決手段】誘電体膜を有するキャパシタを備えた半導体装置の製造方法において、前記誘電体膜を形成する工程は、アルコキシシランガスと少なくとも窒素を含むガスとを含む混合ガスを用いた化学成長法によりシリコン酸化膜を形成する工程を備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

誘電体膜を有するキャパシタを備えた半導体装置において、 前記誘電体膜は、 窒素の含有量が0atom%より大きく2atom%以下のシリコン酸化膜である、 ことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/822 ,  H01L21/318 ,  H01L27/04

FI (2件)：

H01L27/04 C ,  H01L21/318 C

Fターム (14件)：

5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30