特許
J-GLOBAL ID:200903039903917589

レーザ照射による薄膜のパターン化

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-261023
公開番号(公開出願番号):特開平5-217833
出願日: 1992年09月30日
公開日(公表日): 1993年08月27日
要約:
【要約】【目的】 本発明の目的は、均一な、ブランケットすなわちパターンなしのレーザ照射により、パターンを薄い層に転写する方法を提供することである。【構成】 基板上のパターン付けされた薄膜を、レーザ光を吸収する上層または下層の金属薄膜に転写する。均一な、ブランケットすなわちパターンなしのレーザ照射を使って構造を照射して、金属層の選択的融除を行う。この方法は上層または下層の薄膜のレーザ加熱に依拠するもので、薄膜は熱伝導体と接触して薄膜の融除または化学的反応を引き起こす。熱伝導体と接触する領域は低温であり、そのまま残される。
請求項(抜粋):
基板上の材料の層にパターンを形成する方法であって、前記基板上にパターン化しようとする少なくとも1つの材料の第1層を形成するステップと、前記第1層の上または下に少なくとも1つの材料の、前記基板及び前記第1層と異なる熱伝導率を有するパターン化された第2層を付着させるステップと、前記基板をパターンなしのレーザ照射のパルスによって照射して、前記第2層のパターンに従って前記第1層を除去させるステップとを含み、前記第1層が、照射レーザ・パルスによって前記第1層に付与される熱の大部分がレーザ・パルスの間に前記第1層を完全に貫通して流れるような厚さと組成を有し、レーザ・パルスによって照射される第2層のどの領域も第1層より反射率が低いことを特徴とする、方法。
IPC (4件):
H01L 21/027 ,  B23K 26/06 ,  H01L 21/268 ,  H05K 3/24
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平3-035568
  • 特開昭63-134679
  • 特開平1-227149

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