特許
J-GLOBAL ID：200903039904153396
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-023918
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236709
出願日： 1986年10月21日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【課題】 温度検出機能を損なう事なく寄生動作をなくす。【解決手段】 パワー素子の構成要素としての第1導電型の半導体層内に第2導電型の半導体領域を形成し、その半導体領域上に絶縁膜を介して感熱素子部を形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層を有する半導体基板と、前記半導体基板に形成され、前記半導体層をその構成要素の一部として動作するものであって、導通状態の際に電流が流れることで熱破壊に至るような高温に達するパワー素子と、前記半導体層内に形成され、該半導体層との間でPN接合を形成する第2導電型の半導体領域と、前記半導体領域上に形成された絶縁膜と、前記半導体基板の温度を検出するために、前記絶縁膜上に形成された半導体より成る感熱素子部と、を有する事を特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 23/58
H01L 27/04 H
, H01L 23/56 D
