特許
J-GLOBAL ID：200903039904670463

高周波回路装置

発明者：
伊藤 宏充

伊藤 宏充 について

, 
中路 博行

中路 博行 について

, 
今村 光利

今村 光利 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 小森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-299922
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072954
出願日： 2003年08月25日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】 基板の所定箇所に断熱構造を備えながらも基板強度の低下を防止し、製造を容易にした高周波回路装置を提供する。【解決手段】 基板1の上面には低雑音増幅素子等の消費電力が小さく且つ温度変化に対する特性変化の大きな第2の素子6とともに、この第2の素子に比べて消費電力の大きな第1の素子(電力増幅素子)を実装している。基板1の下面には第2の素子6の実装位置を取り囲むように、接地電極非形成部3を設けるとともに、この接地電極非形成部3で取り囲まれた内側を内側接地電極2i、外側を外側接地電極2hとして形成する。この接地電極非形成部3によって第1の素子から第2の素子6への熱伝導を抑制する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一方の面の略全面に接地電極が形成された基板に、第2の素子に比べて消費電力の大きな第1の素子と、第1の素子に比べて消費電力が小さく、且つ温度変化に対する特性変化の大きな第2の素子とを実装してなる高周波回路装置において、 第2の素子の実装位置を取り囲むように、前記一方の面にスリット状の接地電極非形成部を設けたことを特徴とする高周波回路装置。
IPC (7件)：
H03F3/193 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H03F1/30 ,  H03F3/68 ,  H05K1/02 ,  H05K1/18
FI (8件)：
H03F3/193 ,  H01L23/12 301Z ,  H03F1/30 A ,  H03F3/68 B ,  H05K1/02 F ,  H05K1/02 N ,  H05K1/18 S ,  H01L23/36 C
Fターム (40件)：
5E336AA04 ,  5E336AA14 ,  5E336BB02 ,  5E336CC06 ,  5E336CC10 ,  5E336CC31 ,  5E336CC53 ,  5E336CC56 ,  5E336EE01 ,  5E336GG02 ,  5E336GG03 ,  5E338AA02 ,  5E338CC06 ,  5E338CD25 ,  5E338EE02 ,  5E338EE03 ,  5E338EE13 ,  5E338EE22 ,  5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BC33 ,  5J500AA01 ,  5J500AA22 ,  5J500AC02 ,  5J500AC86 ,  5J500AC87 ,  5J500AF16 ,  5J500AH09 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AH33 ,  5J500AK65 ,  5J500AK66 ,  5J500AK68 ,  5J500AM21 ,  5J500AQ04 ,  5J500AS13
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-028147   出願人：日産自動車株式会社
  • 温度センサを備える制御機器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-034616   出願人：三洋電機株式会社

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