特許
J-GLOBAL ID：200903039907668621
マイクロ波プラズマCVD装置およびこれを用いた電子写真用アモルファスシリコン系感光体の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-084739
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302521
出願日： 1993年04月12日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 光メモリーの少ない電子写真用a-Si系感光体を安定して形成できる形成方法を提供すること。【構成】 真空気密可能な反応容器内に形成される第1の放電空間を取り囲む様に円筒状基体が設置され、第1の放電空間内へのガス導入手段と、第1の放電空間内へのマイクロ波エネルギー導入手段とを具備し、ガス導入手段及びマイクロ波エネルギー導入手段により第1の放電空間内に堆積膜形成用ガス及びマイクロ波エネルギーを導入し、グロー放電プラズマを生起させるマイクロ波プラズマCVD装置において、第1の放電空間及び基体を取り囲むように配設された外壁と、基体と外壁とで形成される第2の放電空間にグロー放電プラズマを生起するための高周波電力を導入するための手段とを有する。
請求項（抜粋）：
真空気密可能な反応容器内に形成される第1の放電空間を取り囲む様に円筒状基体が設置され、前記第1の放電空間内へのガス導入手段と、前記第1の放電空間内へのマイクロ波エネルギー導入手段とを具備し、前記ガス導入手段及びマイクロ波エネルギー導入手段により前記第1の放電空間内に堆積膜形成用ガス及びマイクロ波エネルギーを導入し、グロー放電プラズマを生起させるマイクロ波プラズマCVD装置において、前記第1の放電空間及び前記基体を取り囲むように配設された外壁と、前記基体と前記外壁とで形成される第2の放電空間にグロー放電プラズマを生起するための高周波電力を導入するための手段とを有することを特徴とするマイクロ波プラズマCVD装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/31
