特許
J-GLOBAL ID：200903039914222809
半導体レーザアレイ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-223110
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051078
出願日： 1996年08月06日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 製造に際し、プロセス制御が容易で、しかも光ファイバーとの光結合が容易な半導体レーザアレイ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本半導体レーザアレイ10は、サブマウント12と、サブマウント上にアレイ状に配置された複数個の半導体レーザ14とから構成されている。サブマウントは共通のp側電極16を上層に備え、各半導体レーザは共振器部18とn側電極20とが分離溝22により電気的に相互に分離され、かつp側電極がジャンクションダウン状態でサブマウントのp側電極上にボンディングされて電気的に接続され、相互に独立に動作する。アレイの周りは、光透過性が高く、透湿性の低い樹脂層24で包囲されており、その高さは半導体レーザと同じ高さである。樹脂層の一部を取り除いた領域に、p側電極が露出している。半導体レーザは、n-InP基板上のBH-LDとして構成され、寄生容量低減のための溝23を有し、n側電極20から信号用のリード線26が樹脂層24上に延在している。
請求項（抜粋）：
相互に独立に動作する複数個の半導体レーザがサブマウント上にアレイ状に配置されている半導体レーザアレイにおいて、サブマウントが半導体レーザアレイの共通電極面を上層に備え、各半導体レーザは、相互に独立に動作するように、共振器部と共振器に電圧を印加する一方の電極とが分離溝により電気的に相互に分離され、かつ他方の電極が半導体レーザのジャンクションダウン状態でサブマウントの共通電極面上にボンディングされて電気的に接続されていることを特徴とする半導体レーザアレイ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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