特許

J-GLOBAL ID：200903039915361535

半導体基板用研磨布のドレッサーおよびその製造方法

発明者： 木下 俊哉 ,  田村 元紀
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-009661
公開番号（公開出願番号）：特開平10-202505
出願日： 1997年01月22日
公開日（公表日）： 1998年08月04日
要約：

【要約】【課題】 研磨布の目詰まりを除去し、研磨速度を安定化し、品質および歩留まりの高い半導体製造を可能とする半導体基板用研磨布のドレッサーを提供する。【解決手段】 炭化チタン、炭化ジルコニウムおよび炭化クロムの内より選ばれた、少なくとも1種よりなる被膜を有するダイヤモンド粒子1を、融点650°C〜1200°Cの合金を用いて、金属および/または合金からなる支持部材3に、単層、ろう付けし、ダイヤモンド粒子と前記ろう付け合金との界面に前記の金属炭化物層4が形成されていることを特徴とする、半導体基板の平面化研磨工程で使用される半導体基板用研磨布のドレッサーである。好ましくは、前記金属炭化物被覆層は気相法により作製され、厚さ0.1〜10μmであり、ダイヤモンド粒が、径50μm以上300μm以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

炭化チタン、炭化ジルコニウムおよび炭化クロムの内より選ばれた、少なくとも1種よりなる被膜を有するダイヤモンド粒子を、融点650°C〜1200°Cの合金を用いて、金属および/または合金からなる支持部材に、単層、ろう付けし、ダイヤモンド粒子と前記ろう付け合金との界面に前記金属炭化物層が形成されていることを特徴とする、半導体基板の平面化研磨工程で使用される半導体基板用研磨布のドレッサー。

IPC (2件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321

FI (2件)：

B24B 37/00 A ,  H01L 21/304 321 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-051267
  
• 特開平3-131475
  
• 特開平1-301070