特許

J-GLOBAL ID：200903039915575691

多層配線基板とその製造方法及びそれを用いた接続構造

発明者： 赤穂 和則
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-172206
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352007
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】 ソリが抑制され、高密度フリップチップ実装が可能で、チップの高速化に対応可能で、パッケージの薄型化が可能な新規構造の多層配線基板を少ない工数で製造する。【解決手段】 半導体チップより大きな貫通孔を有するベース基板の片面にビルドアップ法により絶縁体層と配線を積み上げ、貫通孔内に半導体チップをフリップチップ実装する。ベース基板の材料として、銅等の金属、セラミックス、または高強度樹脂を使用することができ、ベース基板が薄くてもビルドアップ後のソリを抑えることができる。スルーホールがないので工数が少なく、低インダクタンスとなる。ベース基板が金属板であると、パッケージの放熱性が高まる。

請求項（抜粋）：

下記を含むことを特徴とする多層配線基板:(a) 内部に半導体チップを収容できる大きさの少なくとも1つの貫通孔を有するベース基板、(b) 前記ベース基板の貫通孔を含む2面の一方の面に配置された、内部に配線を有する絶縁層、(c) 前記貫通孔内に露出している前記絶縁層の面に形成された第1の電極群、および(d) 前記絶縁層の前記第1の電極群が形成された面と反対側の面に形成された、前記第一の電極群と電気的に接続された第2の電極群。

IPC (5件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/05 ,  H05K 1/18 ,  H05K 3/46

FI (9件)：

H01L 23/12 501 B ,  H05K 1/05 B ,  H05K 1/18 P ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 U ,  H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 J

Fターム (53件)：

5E315AA11 ,  5E315AA13 ,  5E315BB04 ,  5E315CC14 ,  5E315CC23 ,  5E315DD11 ,  5E315GG01 ,  5E336AA07 ,  5E336BB03 ,  5E336BB19 ,  5E336BC02 ,  5E336BC34 ,  5E336CC34 ,  5E336CC58 ,  5E336EE08 ,  5E336GG16 ,  5E346AA02 ,  5E346AA03 ,  5E346AA04 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA29 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346CC02 ,  5E346CC04 ,  5E346CC09 ,  5E346CC10 ,  5E346CC17 ,  5E346CC32 ,  5E346CC37 ,  5E346CC38 ,  5E346CC40 ,  5E346CC54 ,  5E346CC55 ,  5E346DD02 ,  5E346DD23 ,  5E346DD24 ,  5E346EE38 ,  5E346EE39 ,  5E346FF01 ,  5E346FF07 ,  5E346FF13 ,  5E346FF17 ,  5E346GG05 ,  5E346GG15 ,  5E346GG27 ,  5E346GG28 ,  5E346HH05 ,  5E346HH11 ,  5E346HH17 ,  5E346HH24 ,  5E346HH31