特許

J-GLOBAL ID：200903039918168540

薄膜トランジスタの製造方法およびそれに用いられるプラズマ処理装置

発明者： 山内 哲也 ,  齋藤 秀男
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-364709
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170820
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】 比較的低温条件のもとで薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を形成するための薄膜トランジスタの製造方法と、それに用いられるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プロセスチャンバ1内に基板5を載置して加熱するためのヒータステージ4が設けられ、その背面に排気口2が設けられている。プロセスチャンバ1内の上部には、プラズマ生成用の高周波電力を供給するための電極3と、ガス導入口14が設けられている。電極3とヒータステージ4との間には、電極3によって生成されるプラズマの密度分布に応じてその開口率が変えられている複数の開口部19が設けられたプレート6が配設されている。開口部19およびその周辺部分のプレート6の表面には、石英ガラス等の誘電体部材7がはめ込まれている。

請求項（抜粋）：

基板上にシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜が形成された前記基板を処理室に導入して前記処理室に酸素プラズマを生成し、前記酸素プラズマの生成領域に前記シリコン膜を晒すことなく前記シリコン膜の表面を酸化する酸化工程とを備えた、薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/31 A ,  H01L 21/316 A ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 617 U

Fターム (47件)：

5F045AA08 ,  5F045AA20 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB07 ,  5F045CA15 ,  5F045DP03 ,  5F045EF17 ,  5F045EH11 ,  5F045EH13 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BD04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF73 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE34 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HL03 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ21