半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-241169
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082889
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高出力時にも発振モードが安定した狭スペクトル線幅の分布帰還型半導体レーザを提供する。【構成】活性層上に設けられたこの活性層より禁制帯幅の大きいクラッド層中の活性層近傍に、互いに選択的にエッチングできる半導体多層膜から形成され、かつ共振器方向でその半導体多層膜の層数が異なるようになされた回折格子層5を設けた。

請求項（抜粋）：

活性層と、この活性層の一方の側には前記活性層より禁制帯幅が大きい第1のクラッド層が設けられ、前記活性層の他の側には前記第1のクラッド層とともに前記活性層を挟むように前記活性層より禁制帯幅が大きい第2のクラッド層が設けられ、この第2のクラッド層内部の前記活性層近傍に、平行なストライプ状の回折格子層が光の伝搬する方向に周期的に配置され、この回折格子層は、前記第2のクラッド層と同じ道電性をもち、かつ互いに選択的にエッチングができる2種類以上の半導体層からなる多層構造を有し、この多層構造の禁制帯幅は上記活性層より実効的に大きく、なおかつ上記多層構造からなる回折格子層が、光の伝搬する方向の場所により層数が異なるように構成したことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-134096
特開昭63-213383

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