特許

J-GLOBAL ID：200903039924745966

半導体装置の製造方法

発明者： 坪井 義治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269101
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093921
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 外部接続端子を覆う樹脂バリが簡単かつ容易に除去でき、製造歩留が向上する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 パッケージ19を黒色のエポキシ系樹脂で形成すると共に、リード16の先端部20をパッケージ19の外面に露出するように設けたもので、パッケージ19の成形後に、レーザ照射口22を移動させることによって、YAGレーザをパッケージ19の片方面全面を走査するように照射してリード16の先端部20を覆うパッケージ形成樹脂による樹脂バリ21を除去する。

請求項（抜粋）：

パッケージを合成樹脂で形成すると共に、外部接続端子を前記パッケージ外に露出するように設けてなる半導体装置の製造方法において、前記パッケージの成形後にレーザを照射して前記外部接続端子部分を覆うパッケージ形成樹脂を除去するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 21/56 D ,  H01L 23/28 J

Fターム (10件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA09 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061EA13 ,  5F061FA05