特許

J-GLOBAL ID：200903039930744939

電子ビーム露光方法及び該方法を用いたデバイス製造方法

発明者： 村木 真人
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-018791
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214779
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 位置合わせを良好に行うとともにパターン描画も良好に行える電子ビーム露光方法を提供する。【解決手段】 電子ビームを縮小電子光学系を介して被露光基板に投影露光する電子ビーム露光方法において、前記被露光基板を露光する際の第1の電子ビームで、前記被露光基板を載置するステージに設けられた基準マークの位置を、前記縮小電子光学系を介して検出する第1の位置検出段階と、前記第1の電子ビームの加速電圧より高い加速電圧の第2の電子ビームで、前記基準マークの位置を検出する第2の位置検出段階と、前記被露光基板の位置を、前記第2の電子ビームで検出する第3の位置検出段階と、前記第1、第2の位置検出段階の検出結果に基づいて前記第3の位置検出段階の検出結果を補正して、前記第1の電子ビームと前記被露光基板との位置関係を求める段階とを有する。

請求項（抜粋）：

電子ビームを縮小電子光学系を介して被露光基板に投影露光する電子ビーム露光方法において、前記被露光基板を露光する際の第1の電子ビームで、前記被露光基板を載置するステージに設けられた基準マークの位置を、前記縮小電子光学系を介して検出する第1の位置検出段階と、前記第1の電子ビームの加速電圧より高い加速電圧の第2の電子ビームで、前記基準マークの位置を検出する第2の位置検出段階と、前記被露光基板の位置を、前記第2の電子ビームで検出する第3の位置検出段階と、前記第1、第2の位置検出段階の検出結果に基づいて前記第3の位置検出段階の検出結果を補正して、前記第1の電子ビームと前記被露光基板との位置関係を求める段階とを有することを特徴とする電子ビーム露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504

FI (2件)：

H01L 21/30 541 K ,  G03F 7/20 504