特許

J-GLOBAL ID：200903039937280253

SOI半導体ウェーハのゲッタリング方法及びこれに用いられるSOI半導体ウェーハの製造方法

発明者： 大串 聡
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-178912
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045943
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 各種の方法により作製されたSOI半導体ウェーハであっても、確実にゲッタリング層の形成が可能となり、ゲッタリング層による半導体装置への影響をなくし、半導体の複合化及び多機能化の要求に対しても十分に対応できるSOI半導体ウェーハのゲッタリング方法及びこれに用いられるSOI半導体ウェーハの製造方法を提供する。【構成】 SOI半導体ウェーハのゲッタリング方法において、前記SOI半導体ウェーハの表面であって、半導体装置の活性領域A以外となる半導体装置の分離領域Bに多結晶シリコン15を形成し、半導体装置が設けられる活性領域の重金属汚染物質や欠陥等をゲッタリングする方法及びSOI半導体ウェーハの製造方法である。

請求項（抜粋）：

SOI半導体ウェーハのゲッタリング方法において、前記SOI半導体ウェーハの表面であって、半導体装置の活性領域以外となる半導体装置の分離領域に多結晶シリコンを形成し、半導体装置が設けられる活性領域の重金属汚染物質や欠陥等をゲッタリングすることを特徴とするSOI半導体ウェーハのゲッタリング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-038235
  
• 特開昭61-150223