特許

J-GLOBAL ID：200903039938075513

サブミクロンCMOS高電圧トランジスタ

発明者： ビジャイ パサック
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-340929
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037304
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高いブレークダウン電圧を有する半導体装置と、付加的な処理工程段階を必要とせずに製造するその製造法を提供する。【構成】改良されたドレイン拡散分布が、延長されたドレイン領域14の中の連結していないNSD/NWELL窓を通して注入される。このことにより、わずかに拡散した(LDD)構造体16が得られ、それにより、薄いゲート酸化物を備えた小さな寸法の装置で高いドレイン/ソース・ブレークダウン電圧を有する半導体装置が得られる。さらに、多数の側壁酸化物層、不純物補償、または酸素注入を例えば組み込んだまた別の構造体により、ドレイン/ソースの高いブレークダウン電圧を得る。

請求項（抜粋）：

使用中にチヤンネル領域を設定することができる制御電極と、前記チヤンネル領域が設定される時1つの不純物添加領域から他の不純物添加領域に電流を流すことができるように前記チヤンネル領域に電気的に接続された2個の前記不純物添加領域とを有し、かつ前記不純物添加領域の少なくとも1つが傾斜形分布を有し、かつ前記不純物添加領域の厚さが前記チヤンネル領域に向かって減少し、かつそれにより使用中に比較的高いブレークダウン電圧を有する、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-223340
  
• 特開昭63-127563
  
• 特開平4-223340
  
• 特開昭63-127563