特許

J-GLOBAL ID：200903039939837948

異物除去方法及びその装置並びにデバイス製造方法並びにドライプロセス処理方法及びドライプロセス処理装置

発明者： 大坪 徹 ,  本郷 幹雄 ,  角田 茂 ,  佐々木 新治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-003483
公開番号（公開出願番号）：特開平9-190995
出願日： 1996年01月12日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】 ドライな雰囲気中で異物を除去する方法を提供することにある。【課題を解決する手段】 基板4表面へ、パルス発振レーザ1のレーザビーム2を集光レンズ3で集束させて短時間に微小エネルギを入射させ、発生させた基板4表面の変位により、その表面に加速度を発生させ、異物を表面から離脱させると共に、吹き出しノズル7及び吸い込みノズル10により離脱した異物を再付着させないようにし、回転ステージ5及び直進ステージ6を動作させ、基板4を螺旋状に回転させることにより表面全面を処理するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

基板表面へのエネルギ入射により発生する当該基板表面の変位により、前記基板表面の付着異物を除去することを特徴とする異物除去方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N