特許

J-GLOBAL ID：200903039943074711

半導体レーザ

発明者： 戸田 淳
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-234063
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061583
出願日： 1992年08月11日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】非点隔差を減少させたあるいは非点隔差の無い半導体レーザ、あるいは又、出射したレーザ光が半導体レーザの外部で集光し得る半導体レーザ、更には、指向性を有さないレーザ光を出射し得る半導体レーザを提供する。【構成】活性層10の両端に設けられた、凸面から成る第1の共振器端面14と、凹面又は平面から成る第2の共振器端面16とを具備し、活性層と平行方向における第1の共振器端面の長さが、活性層と平行方向における第2の共振器端面の長さよりも長いことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

活性層の両端に設けられた、凸面から成る第1の共振器端面と、凹面又は平面から成る第2の共振器端面とを具備し、活性層と平行方向における第1の共振器端面の長さが、活性層と平行方向における第2の共振器端面の長さよりも長いことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭53-080185
  
• 特開昭62-162385
  
• 特開昭62-162385