特許

J-GLOBAL ID：200903039945150300

高エネルギーでイオン注入し、続いて熱処理することにより製造される、深く、薄い酸化物層を備えたSOI構造

発明者： ジアンフランコ、チェロフォリーニ ,  ラウラ、メダ
出願人/特許権者： イスティテュート、グイド、ドネガニ、ソチエタ、ペル、アツィオーニ
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-136425
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037288
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】深い、薄い酸化物層を備えたSOI構造の製造方法であって、順次1015〜1016イオン/cm2 の酸素流量における第一イオン注入工程、続いて600〜900°Cの温度における熱処理工程、2〜8x1017イオン/cm2 の酸素流量における第二イオン注入工程、1150〜1400°Cの温度における最終熱処理工程を行う方法。

請求項（抜粋）：

深く、薄い酸化物層を備えたSOI構造の製造方法であって、順次、1015〜1016イオン/cm2 の酸素流量における第一イオン注入工程、続いて600〜900°Cの温度における熱処理工程、2〜8x1017イオン/cm2 の酸素流量における第二イオン注入工程、1150〜1400°Cの温度における最終熱処理工程、を行うことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 A