特許

J-GLOBAL ID：200903039946138346

面発光型半導体レーザ装置とその製造方法

発明者： 石川 徹 ,  茨木 晃 ,  古沢 浩太郎 ,  三宅 輝明
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-295834
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136520
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、活性層を含む被埋め込み部とこの周囲に電流ブロック層からなる埋め込み部をもつ面発光半導体レーザ装置において、電流ブロック層に生じるピット等による電流阻止効果の低減を防止する半導体レーザ装置とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 n型クラッド層3上に被埋め込み部7を隔ててP型活性層4と同じ材料からなる補助電流ブロック層8を構成し、この補助電流ブロック層8及び露出したクラッド層3上にp型、n型電流ブロック層9、10をこの順に構成する。

請求項（抜粋）：

活性層を含む被埋め込み部と、該被埋め込み部の周囲に形成され、活性層と同じ導電型の第1電流ブロック層と活性層と逆の導電型の第2電流ブロック層が積層されてなる埋め込み部とを有する面発光型半導体レーザ装置において、前記被埋め込み部と離間し、且つ、前記第1電流ブロック層下に前記活性層と同じ材料からなる補助電流ブロック層を設けたことを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。