特許

J-GLOBAL ID：200903039951227233

半導体回路

発明者： 光武 正紹
出願人/特許権者： 旭化成マイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-119266
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306184
出願日： 1996年05月14日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】ビット線のプリチャージを低消費電力で行う不揮発性半導体メモリを提供すること。【解決手段】複数のワード線およびビット線がマトリクス状に配列され、両線の1以上の交差位置に記憶素子が配列された記憶回路と、アドレス信号の変化を検出してプリチャージ信号を生成する回路と、アドレス信号に対応するワード線、ビット線を選択する信号を出力するデコード回路と、前記プリチャージ信号とビット線を選択するための信号との論理積演算値が所定値のとき、選択されたビット線のみをプリチャージするように動作するプリチャージ回路と、を有する半導体回路である。

請求項（抜粋）：

複数のワード線およびビット線がマトリクス状に配列され、両線の1以上の交差位置に記憶素子が配列された記憶回路と、アドレス信号の変化を検出してプリチャージ信号を生成する回路と、アドレス信号に対応するワード線、ビット線を選択する信号を出力するデコード回路と、前記プリチャージ信号とビット線を選択するための信号との論理積演算値が所定値のとき、選択されたビット線のみをプリチャージするように動作するプリチャージ回路と、を有する半導体回路。